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在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域，芯片開(kāi)蓋是定位故障根源的核心前置環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)開(kāi)蓋方式不僅損傷芯片內(nèi)部電路，還難以兼容各類(lèi)先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)，拉長(zhǎng)了失效分析的周期，拖慢了工藝改進(jìn)的速度。深耕精密工裝治具領(lǐng)域的東莞路登科技，推出適配全場(chǎng)景需求的芯片快速開(kāi)蓋治具，以高精度設(shè)計(jì)破解行業(yè)痛點(diǎn)，為芯片失效分析提速增效。
不同于傳統(tǒng)手工化學(xué)開(kāi)蓋的粗獷工藝，路登這款芯片快速開(kāi)蓋治具，從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上兼顧了速度與精度，適配從DIP、SOP到BGA、QFN、CSP在內(nèi)的全系列芯片封裝，最小可開(kāi)蓋01005規(guī)格元器件，覆蓋了消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)芯片等全領(lǐng)域芯片分析需求。治具采用分體式快鎖夾具設(shè)計(jì)，可根據(jù)芯片尺寸一鍵完成定位固定，裝夾時(shí)間從傳統(tǒng)10分鐘壓縮至30秒以?xún)?nèi)，開(kāi)蓋效率提升超10倍，即便是非專(zhuān)業(yè)操作人員也能快速上手。
為了最大程度保護(hù)芯片內(nèi)部電路完整，路登治具搭配低溫化學(xué)開(kāi)蓋輔助結(jié)構(gòu)，可精準(zhǔn)控制腐蝕范圍與深度，配合冷激光開(kāi)蓋的定位擋板設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)對(duì)目標(biāo)區(qū)域的精準(zhǔn)蝕刻，開(kāi)蓋后芯片電路完整性保持率可達(dá)95%以上，完全滿(mǎn)足后續(xù)電性復(fù)測(cè)、OBIRCH熱點(diǎn)分析等深度測(cè)試需求，不會(huì)因?yàn)殚_(kāi)蓋損傷掩蓋真實(shí)失效根因。針對(duì)不同厚度的封裝外殼，治具還設(shè)計(jì)了可調(diào)節(jié)深度限位塊，蝕刻深度精度可達(dá)0.01mm，徹底避免過(guò)度腐蝕損傷內(nèi)部鍵合線與晶體管的問(wèn)題。
在溯源管理層面，這款治具還支持搭配掃碼記錄系統(tǒng)，每一次開(kāi)蓋的溫度、時(shí)間、激光功率參數(shù)都可以自動(dòng)存檔，滿(mǎn)足汽車(chē)芯片IATF 16949體系對(duì)失效分析追溯的嚴(yán)苛要求，方便后續(xù)工藝復(fù)盤(pán)改進(jìn)。目前，這款芯片快速開(kāi)蓋治具已經(jīng)廣泛應(yīng)用于第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)、芯片設(shè)計(jì)企業(yè)與整車(chē)廠商的失效分析實(shí)驗(yàn)室，實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，芯片開(kāi)蓋分析周期從傳統(tǒng)5天壓縮至72小時(shí)以?xún)?nèi)，緊急分析可實(shí)現(xiàn)24小時(shí)出結(jié)果，失效根因定位準(zhǔn)確率提升至98%，大幅縮短了產(chǎn)品問(wèn)題排查與工藝改進(jìn)的周期。
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的升級(jí)，離不開(kāi)每個(gè)環(huán)節(jié)的精密支撐。東莞路登科技始終聚焦芯片分析領(lǐng)域的工裝需求，用精密設(shè)計(jì)助力芯片失效分析提速，為國(guó)產(chǎn)芯片的良率提升與工藝升級(jí)保駕護(hù)航。
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