一、產(chǎn)品用途
全自動(dòng)介質(zhì)損耗測(cè)試儀中測(cè)試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗值)變化和Cp（電容值）讀數(shù)可以直接不用人工計(jì)算得到
全自動(dòng)介質(zhì)損耗測(cè)試儀由高頻阻抗分析儀、測(cè)試裝置，標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行 高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
工作頻率范圍是20Hz～1Mhz 2Mhz 5Mhz(選配）, 三種選項(xiàng)它能完成工作頻率內(nèi)對(duì)絕緣材料的相對(duì)介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測(cè)試。
二、概述
全自動(dòng)介質(zhì)損耗測(cè)試儀是具有多種功能和高測(cè)試頻率的新型阻抗分析儀，體積小，緊湊便攜，便于上架使用。本系列儀器基本精度為0.05%，測(cè)試頻率高2MHz及10mHz的分辨率，4.3寸的LCD屏幕配合中英文操作界面，操作方便簡(jiǎn)潔。集成了變壓器測(cè)試功能、平衡測(cè)試功能,提高了測(cè)試效率。儀器提供了豐富的接口，能滿足自動(dòng)分選測(cè)試，數(shù)據(jù)傳輸和保存的各種要求。
GDAT-S系列產(chǎn)品是電子元器件設(shè)計(jì)、檢驗(yàn)、質(zhì)量控制和生產(chǎn)測(cè)試強(qiáng)有力的工具。其超高速的測(cè)試速度使其特別適用于自動(dòng)生產(chǎn)線的點(diǎn)檢機(jī)，壓電器件的頻率響應(yīng)曲線分析等等。其多種輸出阻抗模式可以適應(yīng)各個(gè)電感變壓器廠家的不同標(biāo)準(zhǔn)需求。GDAT-S系列產(chǎn)品以其的性能可以實(shí)現(xiàn)商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和軍用標(biāo)準(zhǔn)如 IEC 和 MIL 標(biāo)準(zhǔn)的各種測(cè)試。
測(cè)試儀是符合 LXI 標(biāo)準(zhǔn)的新一代阻抗測(cè)試儀器，其 0.1%的基本精度、20Hz ～ 5MHz 的頻率范圍可以滿足元件與材料的測(cè)量要求，可測(cè)量低 ESR 電容器和高 Q 電感器的測(cè)量。可用于諸如傳聲器、諧振器、電感器、陶瓷電容器、液晶顯示器、變?nèi)荻䴓O管、變壓器等進(jìn)行諸多電氣性能的分析。
三、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1. 變壓器參數(shù)測(cè)試功能
2. 高測(cè)試速度:13ms/次
3 電壓或電流的自動(dòng)電平調(diào)整（ALC）功能
4. V、I 測(cè)試信號(hào)電平監(jiān)視功能
5.內(nèi)部自帶直流偏置源
6. 可外接大電流直流偏置源
7.可直接得到介電常數(shù)和介質(zhì)損耗 不用人工計(jì)算
8.可測(cè)試電阻
9. 4.3寸TFT液晶顯示
10. 中英文可選操作界面
11. 高5MHz的測(cè)試頻率
12. 平衡測(cè)試功能
13. 10點(diǎn)列表掃描測(cè)試功能
14. 30Ω、50Ω、100Ω可選內(nèi)阻
15. 內(nèi)建比較器，10檔分選和計(jì)數(shù)功能
16. 內(nèi)部文件存儲(chǔ)和外部U盤文件保存
17.量數(shù)據(jù)可直接保存到U盤
18. RS232C、 USB 、LAN、HANDLER、GPIB、DCI接口
19. 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復(fù)性。
20. 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1～105
四、ε和D性能：
▶固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz～2MHz的ε和D變化的測(cè)試。
▶ε和D測(cè)量范圍：ε：1～105，D：0.1～0.00005，
▶ε和D測(cè)量精度（10kHz）：ε：±2% ， D：±5%±0.0001。
▶測(cè)試參數(shù) :C, L, R,Z,Y,X,B, G, D, Q, θ,DCR
▶測(cè)試頻率 :20 Hz～2MHz,10mHz步進(jìn)
▶測(cè)試信號(hào)電:f≤1MHz 10mV～5V,±（10%+10mV）平 :f>1MHz 10mV～1V,±（20%+10mV)
▶輸出阻抗:10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω
▶基本準(zhǔn)確度 ;0.1%
五、顯示范圍 :
L 0.0001 uH ～ 9.9999kH
C :0.0001 pF ～ 9.9999F
R,X,Z,DCR :0.0001 Ω ～ 99.999 MΩ
六、顯示范圍 :
Y, B, G 0.0001 nS ～ 99.999 S
D :0.0001 ～ 9.9999
Q :0.0001 ～ 99999
θ :-179.99°～ 179.99°
▶測(cè)量速度 ：快速，200次/s（f﹥30kHz） ,100次/s（f﹥1kHz） 。中速， 25次/s, 慢速: 5次/s。
▶校準(zhǔn)功能 :開(kāi)路 / 短路點(diǎn)頻、掃頻清零，負(fù)載校準(zhǔn)
▶等效方式 :串聯(lián)方式, 并聯(lián)方式
▶量程方式:自動(dòng), 保持
▶顯示方式 :直讀, Δ, Δ%
▶觸發(fā)方式 :內(nèi)部, 手動(dòng), 外部, 總線
▶內(nèi)部直流偏 :電壓模式-5V ～ +5V, ±(10%+10mV), 1mV步進(jìn)
▶置源 :電流模式（內(nèi)阻為50Ω）-100mA ～ +100mA, ±(10%+0.2mA),20uA步進(jìn)
▶比較器功能:10檔分選及計(jì)數(shù)功能
▶顯示器;320×240點(diǎn)陣圖形LCD顯示
▶存儲(chǔ)器 :可保存20組儀器設(shè)定值
▶USB DEVICE( USBTMC and USBCDC support) USB HOST(FAT16 and FAT32 support)
▶接口 :LAN(LXI class C support) RS232C HANDLERGPIB（選件）
▶工作頻率范圍：20Hz～2MHz 數(shù)字合成，
▶精度：±0.02%
▶電容測(cè)量范圍：0.00001pF～9.99999F 六位數(shù)顯
▶電容測(cè)量基本誤差：±0.05%
▶損耗因素D值范圍：0.00001～9.99999 六位數(shù)顯
▶介電常數(shù)測(cè)試裝置（含保護(hù)電極）： 精密介電常數(shù)測(cè)試裝置提供測(cè)試電極，能對(duì)直徑φ10～56mm，厚度<10mm的試樣精確測(cè)量。
▶它針對(duì)不同試樣可設(shè)置為接觸電極法，薄膜電極法和非接觸法三種，以適應(yīng)軟材料，表面不平整和薄膜試樣測(cè)試。
▶微分頭分辨率：10μm
▶高耐壓：±42Vp（AC+DC）
▶電纜長(zhǎng)度設(shè)置：1m
▶高使用頻率：5MHz （選配）
七、設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)配置
試驗(yàn)主機(jī) 一臺(tái)
試驗(yàn)電極 一套
數(shù)據(jù)連接線 一條
電源線 一條
說(shuō)明書(shū) 一份
合格證 一份
保修卡 一份
八、環(huán)境
（1）請(qǐng)不要在多塵、多震動(dòng)、日光直射、有腐蝕氣體下使用。
（2）儀器正常工作時(shí)應(yīng)在溫度為 0℃～40℃，相對(duì)濕度≤75%，因此請(qǐng)盡量在此條件下使用儀器，以保證測(cè)量的準(zhǔn)確度。
（3）本測(cè)試儀器后面板裝有散熱裝置以避免內(nèi)部溫度上升，為了確保通風(fēng)良好，切勿阻塞左右通風(fēng)孔，以使本儀器維持準(zhǔn)確度。
（4）本儀器已經(jīng)經(jīng)過(guò)仔細(xì)設(shè)計(jì)以減少因 AC 電源端輸入帶來(lái)的雜波干擾，然而仍應(yīng)盡量使其在低噪聲的環(huán)境下使用，如果無(wú)法避免，請(qǐng)安裝電源濾波器。
（5）儀器長(zhǎng)期不使用，請(qǐng)將其放在原始包裝箱或相似箱子中儲(chǔ)存在溫度為 5℃～40℃， 相對(duì)濕度不大于 85%RH 的通風(fēng)室內(nèi)，空氣中不應(yīng)含有腐蝕測(cè)量?jī)x的有害雜質(zhì)，且應(yīng)避免日光直射。
儀器特別是連接被測(cè)件的測(cè)試導(dǎo)線應(yīng)遠(yuǎn)離強(qiáng)電磁場(chǎng)，以免對(duì)測(cè)量
九、使用測(cè)試夾具
儀器測(cè)試夾具或測(cè)試電纜應(yīng)保持清潔，被測(cè)試器件引腳保持清潔，以保證被測(cè)器件與夾具接觸良好。
將測(cè)試夾具或測(cè)試電纜連接于本儀器前面板的 Hcur、Hpot、Lcur、Lpot 四個(gè)測(cè)試端上。對(duì)具有屏蔽外殼的被測(cè)件，可以把屏蔽層與儀器地“┴”相連。
注：沒(méi)有安裝測(cè)試夾具或測(cè)試電纜時(shí)，儀器將顯示一個(gè)不穩(wěn)定的測(cè)量結(jié)果。
十、預(yù)熱
（1）為保證儀器精確測(cè)量，開(kāi)機(jī)預(yù)熱時(shí)間應(yīng)不少于 15 分鐘
（2）請(qǐng)勿頻繁開(kāi)關(guān)儀器，以引起內(nèi)部數(shù)據(jù)混亂。
十一、儀器的其它特性
（1）功耗：消耗功耗≤80VA。
（2） 外形尺寸（W*H*D）：400mm*132mm*385mm；
（3） 重量：約 10kg；
GDAT-S采用了 320×240 液晶顯示屏，顯示屏顯示的內(nèi)容被劃分成如下的顯示區(qū)域，見(jiàn)圖 2-3。
圖 2-3 顯示區(qū)域定義
1)顯示頁(yè)面區(qū)域
該區(qū)域指示當(dāng)前頁(yè)面的名稱。
2)文件域
把光標(biāo)移到該區(qū)域，可進(jìn)行文件管理操作。文件管理操作包括：加載、保存和刪除。
3)工具域
一些不常用的功能，在顯示頁(yè)面沒(méi)有相應(yīng)的設(shè)置域，被列入工具域中。
4)軟鍵區(qū)域
該區(qū)域被用于顯示軟鍵的功能定義。軟鍵的定義隨光標(biāo)所在的域的位置不同而具有不同功能的定義。
5)測(cè)量結(jié)果/條件顯示區(qū)域
該區(qū)域顯示測(cè)試結(jié)果信息和當(dāng)前的測(cè)試條件。
6)助手及數(shù)據(jù)輸入?yún)^(qū)域
該區(qū)域用于顯示系統(tǒng)提示信息以及用戶數(shù)據(jù)輸入信息。
十二、應(yīng)用領(lǐng)域可分為以下方向：
1.技術(shù)擴(kuò)展方向
高頻電路設(shè)計(jì)：結(jié)合阻抗測(cè)試（EIS）分析PCB基板材料的介電常數(shù)與信號(hào)完整性關(guān)系。
儲(chǔ)能材料開(kāi)發(fā)：通過(guò)介電常數(shù)優(yōu)化聚合物基復(fù)合材料，提升電容器能量密度。
2.材料性能評(píng)估
介電參數(shù)測(cè)量：用于精確測(cè)定材料的介電常數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗角正切值（tanδ），為評(píng)估絕緣材料、陶瓷、復(fù)合材料等電學(xué)特性提供核心數(shù)據(jù)。
性能優(yōu)化支持：通過(guò)分析介電參數(shù)與材料微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系，指導(dǎo)改進(jìn)材料配方及生產(chǎn)工藝，提升耐壓、絕緣或高頻適應(yīng)性等性能。
3.行業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景
電力與電子工業(yè)：檢測(cè)電力設(shè)備絕緣材料（如電纜、變壓器套管）的介電性能，保障電網(wǎng)安全運(yùn)行；評(píng)估電子元器件基板材料的信號(hào)傳輸穩(wěn)定性。
科研與教育：作為高校、科研機(jī)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室的基礎(chǔ)設(shè)備，用于新型功能材料（如微波介質(zhì)陶瓷、高分子復(fù)合材料）的研發(fā)及教學(xué)實(shí)驗(yàn)。
工業(yè)質(zhì)檢：在陶瓷電容器制造、高頻通信材料生產(chǎn)等領(lǐng)域，用于產(chǎn)品出廠前的介電性能合規(guī)性檢測(cè)。
4.擴(kuò)展功能應(yīng)用
多參數(shù)測(cè)量：部分型號(hào)可同步測(cè)量電容、電感、Q值等參數(shù)，支持對(duì)電路元件特性及高頻傳輸線阻抗的全面分析。
寬頻段適用：通過(guò)諧振法（MHz級(jí)）或傳輸線法（GHz級(jí)）等不同原理，滿足從低頻絕緣材料到高頻微波基板的多場(chǎng)景測(cè)試需求。
技術(shù)特征示例典型設(shè)備如GDAT，BQS系列，支持17-240pF電容調(diào)節(jié)、1pF-25nF直接測(cè)量及1-1023的Q值范圍，具備自動(dòng)換檔和數(shù)字頻率鎖定功能，確保在10kV高壓下仍能保持±0.5%的測(cè)量精度
