欧美韩国日本桃色,一区二区三区国产私人毛片,精品极品精品,亚洲一区人妻,久久久久久久久亚洲免费,青娱乐91,亚洲情涩,久久久成人毛片,日本欧美不卡二区在线

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 10 月 18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.38Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。

　　SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)、SiHB16N50C (D2PAK)和SiHG16N50C (TO-247AC)的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而在功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)制(PWM)半橋和各種應(yīng)用的LLC拓撲中節(jié)約能源，這些應(yīng)用包括筆記本電腦的交流適配器、PC機電源、LCD TV和開放式電源。

　　除了低導(dǎo)通電阻，這些器件的柵極電荷為68nC。柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)，這些MOSFET的FOM只有25.84 Ω-nC。

　　新款N溝道MOSFET使用Vishay Planar Cell技術(shù)進行生產(chǎn)，該技術(shù)為減小通態(tài)電阻進行了定制處理，可以在雪崩和通訊模式下承受高能脈沖。與前一代MOSFET相比，SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C還具有更快的開關(guān)速度，并減小了開關(guān)損耗。

　　這些器件符合RoHS指令2002/95/EC，并且經(jīng)過了完備的雪崩測試，以實現(xiàn)可靠工作。

　　新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。(這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備)。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。