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    意法半導體（STMicroelectronics）與英特爾合資公司、從事非易失性內存的瑞士Numonyx B.V.公司，于2008年7月31日介紹了該公司的業(yè)務戰(zhàn)略。該公司總裁兼首席執(zhí)行官Brian L.Harrison表示：“在打入亞洲嵌入內存市場的過程中，日本將扮演重要的角色”，表明了該公司致力于開發(fā)日本市場的方針。 
　　Numonyx瞄準的非易失性內存市場主要為手機用與家電、汽車用等兩種嵌入產品。其中，該公司在手機用非易失性內存市場上份額居首，但在嵌入領域僅居第二位。因此，除手機市場外，今后該公司還準備加大對嵌入產品市場的投入。另外，2007年在非易失性內存市場上，該公司在韓國三星電子、東芝之后，列第3位。 
　　嵌入產品用非易失性內存的全球市場，NOR閃存為37億美元，NAND閃存為21億美元。2008年的NOR閃存市場分地區(qū)看，亞洲占一半以上，日本僅占不到20％。然而日本是家電、汽車等嵌入領域的技術領頭羊，對于亞洲的產品設計有巨大的影響力，所以“日本市場是亞洲的大門 ”（Harrison）。因此，Numonyx在日本設立了面向嵌入產品的業(yè)務單元，并在不斷增加人員。 
　　今后，該公司將把多值65nm工藝NOR閃存“StrataFlash”作為嵌入用產品的主力。一方面，將面向手機用途投放支持節(jié)能DRAM接口“LP DDR”的NOR閃存“Velocity LP”。統(tǒng)一閃存與DRAM的接口，降低系統(tǒng)成本。而且，這一隱含著統(tǒng)一更換閃存和DRAM的可能性的架構，向相變內存（PCM）過渡也比較有利。 
　　關于相變內存，該公司已于2008年2月，向部分特定用戶供應了利用90nm工藝制造的128Mbit相變內存樣品。計劃2009年轉入量產。并且，該公司今后將考慮以相變內存替代NOR閃存、E2PROM、NAND閃存和DRAM的業(yè)務。但是，正如過去E2PROM沒有在閃存問世時消失一樣，該公司認為相變內存與其他內存也將維持共存。希望利用相變內存可高速讀寫及以比特為單位改寫數(shù)據(jù)等特點，開拓出新用途。 
　　除內部工廠外，Numonyx還與母公司工廠簽訂了供貨合同。該公司支持200mm晶圓的工廠有以色列的“Fab1”和新加坡的 “Fab2”。而支持300mm晶圓的工廠，該公司與韓國海力士半導體（Hynix Semiconductor）在無錫開設了合資工廠，并計劃在意大利卡塔尼亞開設“Fab3”。今后，將把生產從母公司工廠逐步向自有工廠轉移，加快微細化進程。 
　　另外，該公司已與爾必達內存就NOR閃存生產外包達成了基本協(xié)議。爾必達將從2009年底開始制造65nm工藝NOR閃存，并逐步向45nm工藝過渡。對于45nm工藝NOR閃存，不同于大多數(shù)LSI廠商采用的液浸 ArF光刻，爾必達將使用低成本的干法光刻。Numonyx表示，選擇爾必達內存作為合作伙伴的原因是爾必達的代工戰(zhàn)略與該公司的思路一致，并且擁有以干法光刻為代表的高超技術能力。