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未來10年閃存將發(fā)展到盡頭 3D內(nèi)存接班

http://www.henanjusheng.com 2008-07-29 13:54 來源:CNET中國

    SanDisk認(rèn)為,未來10年閃存將發(fā)展到盡頭,3D內(nèi)存技術(shù)將成為閃存的接班人。 
  SanDisk上周表示,由于閃存具有局限性,它的發(fā)展未來將走到盡頭,SanDisk希望3D讀寫內(nèi)存能夠成為替代產(chǎn)品,這種技術(shù)是由SanDisk2005年收購的Matrix半導(dǎo)體公司開發(fā)。 
  3D內(nèi)存芯片將內(nèi)存陣列從橫向排列改為縱向排列,從而能夠垂直存儲更多數(shù)據(jù)。 
  SanDisk總裁兼首席運(yùn)營官Sanjay Mehrotra上周表示:“SanDisk正在開發(fā)3D讀寫內(nèi)存,我們認(rèn)為這種產(chǎn)品在未來10年將代替NAND閃存。” 
  SanDisk已經(jīng)宣布和東芝合作開發(fā)3D內(nèi)存。 
  SanDisk主席兼首席執(zhí)行官Eli Harari說,自從收購了Matrix后,他們在3D內(nèi)存開發(fā)方面取得了不小的進(jìn)步,目前,圍繞這種技術(shù),SanDisk已經(jīng)取得了200多項(xiàng)專利。 
  不過SanDisk發(fā)言人Michael Wong 說,3D內(nèi)存取代閃存還有很長一段路要走。
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