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英特爾大連廠2009年投產(chǎn)
http://www.henanjusheng.com 2008-06-17 11:34 來源：半導(dǎo)體國(guó)際
近日在大連召開的第六屆中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)上，英特爾（大連）有限公司總經(jīng)理代表張仲民透露，目前英特爾大連芯片廠土建工程已經(jīng)基本完成，正快速進(jìn)入機(jī)械、電力和管道安裝階段?？偼顿Y25億美元的英特爾大連芯片廠，在2007年9月動(dòng)工興建，計(jì)劃在2010年夏季投產(chǎn)。按照目前施工進(jìn)度，很有可能在2009年就具備試生產(chǎn)能力。
談到封裝技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，張仲民表示，英特爾已經(jīng)將芯片的封裝從微米級(jí)帶入到納米級(jí)。納米級(jí)的封裝工藝更加需要新型的封裝材料的應(yīng)用，同時(shí)疊層封裝，細(xì)間距互聯(lián)以及嵌入被動(dòng)元件將是未來發(fā)展的方向，以滿足市場(chǎng)對(duì)體積更小、速度更快、可靠性更高的電子產(chǎn)品的需求。
談到封裝技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，張仲民表示，英特爾已經(jīng)將芯片的封裝從微米級(jí)帶入到納米級(jí)。納米級(jí)的封裝工藝更加需要新型的封裝材料的應(yīng)用，同時(shí)疊層封裝，細(xì)間距互聯(lián)以及嵌入被動(dòng)元件將是未來發(fā)展的方向，以滿足市場(chǎng)對(duì)體積更小、速度更快、可靠性更高的電子產(chǎn)品的需求。
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