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   利用目前的制程工藝，DRAM電容器與閃存存儲(chǔ)單元的尺寸已接近物理極限，難以進(jìn)一步縮小。因此，內(nèi)存制造商投入更多的精力開(kāi)發(fā)DRAM和閃存以外的另類(lèi)內(nèi)存解決方案。面向特定用途的幾種不同的專(zhuān)用內(nèi)存目前已經(jīng)可供使用。雖然這些新產(chǎn)品近期都不太可能挑戰(zhàn)批量產(chǎn)品，但至少都有提供以下特點(diǎn)的可能性：以低功耗快速讀寫(xiě)；非易失性，具有較長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保持時(shí)間與循環(huán)壽命；較小的單元尺寸。
    磁阻RAM(MRAM)、鐵電RAM(FRAM)和相變RAM(PCRAM)是人們討論最多的DRAM和閃存替代方案。相對(duì)于目前的DRAM和閃存，上述技術(shù)都有自己的優(yōu)勢(shì)，但從成本或技術(shù)角度來(lái)看，也存在一些缺點(diǎn)。  

內(nèi)存市場(chǎng)不斷進(jìn)化 潛力有待充分挖掘

   電阻RAMReRAM/RRAM是另外一種可能的選擇。富士通(Fujitsu)、英特爾(Intel)、三星(Samsung)、夏普(Sharp)和Spansion都在研究這種技術(shù)。這些廠商相信，ReRAM將比閃存快100倍，而尺寸將優(yōu)于相變RAM或MRAM等其它先進(jìn)內(nèi)存。

   碳納米管(CNT)技術(shù)也大有前途。近期內(nèi)這種技術(shù)可能用于系統(tǒng)內(nèi)存，長(zhǎng)期可能用于復(fù)雜的邏輯器件。納米管RAM(NRAM)單元利用幾個(gè)懸在金屬電極上面的CNT制成。當(dāng)在納米管上面施加一個(gè)微弱的偏壓時(shí)，納米管就向著電極的方向“下垂”，直到接觸為止。此時(shí)納米管被視為處于邏輯1狀態(tài)。當(dāng)取消偏壓之后，納米管脫離電極，邏輯狀態(tài)恢復(fù)為零。NRAM的優(yōu)點(diǎn)包括具有SRAM的速度、密度遠(yuǎn)高于DRAM、功耗低于DRAM和閃存。另外，它不怕惡劣環(huán)境，而且具有很好的縮微性。

   此外，最近廠商宣布的“memristor”(記憶電阻)，可能是內(nèi)存供應(yīng)商為創(chuàng)造一種通用內(nèi)存而渴望的技術(shù)突破。memristor是一種電路元件，在尺寸縮小過(guò)程中可以改善性能。

   市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights堅(jiān)信，內(nèi)存市場(chǎng)(尤其是DRAM)是進(jìn)化性的，而不是革命性的。在必須轉(zhuǎn)向納米管、PCRAM或MRAM等另類(lèi)內(nèi)存技術(shù)之前，內(nèi)存供應(yīng)商將繼續(xù)充分挖掘現(xiàn)有技術(shù)/架構(gòu)的潛力。迄今為止，沒(méi)有一種另類(lèi)內(nèi)存能夠提供具有足夠誘人的解決方案，使之優(yōu)于現(xiàn)有的內(nèi)存。