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　　法國格勒諾布爾 - Media OutReach - 2022年3月 - Teledyne e2v半導體的超高密度存儲器DDR4的開發(fā)仍在繼續(xù)，有消息稱，宇航級正片現(xiàn)在正在運往世界各地的關鍵客戶。這標志著在所提供的樣品成功帶來廣泛的活動設計和這項技術的采用之后，這一開創(chuàng)性項目向前邁出了一大步。因此，該公司現(xiàn)在正進入大規(guī)模生產(chǎn)階段，可提供宇航級耐輻射DDR4。

　　Teledyne e2v的DDR4s存儲容量為4G字節(jié)，尺寸僅為15mm x 20mm x 1.92mm，其存儲密度遠高于競爭對手的解決方案——僅占PCB基板面的一半，體積幾乎減少了一個數(shù)量級。它們擁有高性能，并可提供2.4GT/s的數(shù)據(jù)傳輸速度。

　　每個Teledyne e2v DDR4T04G72內(nèi)存都以多芯片封裝（MCP）形式提供，具有擴展總線功能，其中64位用于數(shù)據(jù)傳輸，另外8位用于糾錯。DDR4T04G72是該公司自己的Qormino®處理器的最佳配套產(chǎn)品，并且與其他供應商提供的絕大多數(shù)處理器、SOC和FPGA具有很好的兼容性。

　　對這些DDR4進行輻射測試表明，它們的單事件鎖定（SEL）閾值大于60MeV.cm²/mg。它們的單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）和單粒子功能中斷（SEFI）數(shù)據(jù)也超過60MeV.cm²/mg，并且它們已經(jīng)驗證了對100krad總離子幅射量（TID）的恢復能力。

　　Teledyne e2v的DDR4可訂購適合工業(yè)溫度范圍（-40°C至105°C）的也可訂購適合軍事溫度范圍（-55°C至125°C）的，并可達到NASA 1級（基于NASA EEE-INST-002 - Section M4 - PEMs），這意味著可以滿足更廣泛的潛在應用。

　　“我們被視為太空應用中高密度耐輻射存儲器的領先者，我們的技術已經(jīng)在市場上獲得了令人難以置信的好評。我們與競爭對手的不同之處在于，我們提供了全面、開放的數(shù)據(jù)包，為客戶提供了在盡可能短的時間內(nèi)開始設計和完成設計所需的一切，并隨時提供所有背景信息和專家工程支持” Teledyne e2v的營銷及業(yè)務開發(fā)經(jīng)理Thomas Guillemain表示：“我們?yōu)楹教旃I(yè)提供了可靠的緊湊型、易于連接的存儲器，提高了性能基準。我們在下一階段的路線圖上取得了長足的進步，其他幾代乃至更高容量的設備目前正在籌備中。”