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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器

新型驅動器可提供量身定制的導通和關斷時序,將開關損耗降至最低,并增強dV/dt抗擾性能

http://www.henanjusheng.com 2024-05-23 10:10 來源:Littelfuse

Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工業(yè)技術制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創(chuàng)新的驅動器專門設計用于驅動工業(yè)應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。

IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置,以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器的工作電壓范圍(VDD - VSS)高達35V,具有出色的靈活性和性能。

IX4352NE的突出功能之一是配備內部負電荷泵調節(jié)器,無需外部輔助電源設備或DC/DC轉換器。 該功能對于關斷SiC MOSFET尤其實用,可以節(jié)省外部邏輯電平轉換器電路通常所需的寶貴空間。 邏輯輸入與標準TTL或CMOS邏輯電平兼容,進一步增強了節(jié)省空間的能力。

IX4352NE非常適合在各類工業(yè)應用中驅動SiC MOSFET,例如:

•    車載和非車載充電器,

•    功率因數(shù)校正(PFC),

•    DC/DC轉換器,

•    電機控制器,和

•    工業(yè)電源逆變器。

卓越的性能使其成為電動汽車、工業(yè)、替代能源、智能家居和樓宇自動化市場中要求苛刻的電力電子應用的理想選擇。

憑借其全面的功能,IX4352NE簡化了電路設計并提供了更高的集成度。 內置保護功能,如帶軟關斷灌電流驅動器的去飽和檢測(DESAT)、欠壓鎖定(UVLO)和熱關斷(TSD)等,可確保功率器件和柵極驅動器得到保護。 集成的開漏FAULT輸出向微控制器發(fā)出故障信號,增強了安全性和可靠性。 此外,IX4352NE還能節(jié)省寶貴的PCB空間并提高電路密度,有助于提高整體系統(tǒng)效率。

對現(xiàn)有IX4351NE的顯著改進包括:

•    由DESAT啟動的安全軟關斷。

•    高閾值精度熱關斷。

•    電荷泵在熱關斷期間的工作能力。

新款IX4352NE與引腳兼容,可無縫替換指定使用現(xiàn)有Littelfuse IX4351NE的設計,該設計于2020年發(fā)布。

“IX4352NE通過一種新型9A拉/灌電流驅動器擴展了我們廣泛的低側柵極驅動器系列,簡化了SiC MOSFET所需的柵極驅動電路。”Littelfuse集成電路部(SBU)產品經理June Zhang表示, “其各種內置保護功能和集成電荷泵提供了可調的負柵極驅動電壓,能提高dV/dt抗擾度和關斷速度。 因此,該產品可以用來驅動任何SiC MOSFET或功率IGBT,無論是Littelfuse器件還是市場上任何其他類似器件。”

供貨情況

IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器以每管50只的管裝形式供貨,也可以卷帶封裝形式供貨,起訂量2,000只。 可通過Littelfuse全球各地的授權經銷商索取樣品。

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